在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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问题在于，具身智能没有大模型那样的数据体量去覆盖所有光照变化。但换个思路，如果模型能关注局部信息——比如只锁定每瓶水的外观特征，而不关心背景、光线、桌子颜色——就能避免被全局变化干扰。这正是我们做“热力图”的出发点：让模型聚焦操作对象本身，而不是整个画面。
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